买卖IC网 >> 产品目录 >> IPP110N20NAXK MOSFET OptiMOS 3 Power Transistor datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

IPP110N20NAXK

库存数量：1167
制造商：Infineon Technologies
描述：MOSFET OptiMOS 3 Power Transistor
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET OptiMOS 3 Power Transistor
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制造商 Infineon Technologies
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 200 V
闸/源击穿电压 +/- 20 V
漏极连续电流 88 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 10.7 mOhms at 10 V
配置 Single
最大工作温度 + 175 C
安装风格 Through Hole
封装 / 箱体 PG-TO220-3
封装 Tube
相关资料
属性
链接
代理商 IPP110N20NAXK
IPP111N15N3
IPP111N15N3 G
IPP111N15N3G
IPP114N03L
IPP114N03L G
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北京首天伟业科技有限公司 010-62565447 刘先生
深圳市芯品会科技有限公司 0755-83265528 朱先生
深圳市海天鸿电子科技有限公司 0755-82552857-809 彭小姐、刘先生、李小姐
  • IPP110N20NAXK 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 10.226 10.226
    10 9.454 94.54
    100 8.694 869.4
    500 8.184 4092